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极紫外光刻机技术参数

时间:2023-04-12人气:作者:
阿斯麦预计2025年极紫外光刻机应用比例将超过60

       大家好!今天让小编来大家介绍下关于极紫外光刻机技术参数 的问题,来看看吧。希望可以帮助到你哦!

1、极紫外光刻机

国产7nm的光刻机还没有研制成功的,能够制造7纳米芯片的光刻机就是极紫外光刻机,目前能够制造极紫外光刻机的只有一家,就是荷兰的阿斯麦公司,而且阿斯麦公司也只是一个组装公司,极紫外光刻机是一个庞大的工程,它的零件都是全球最顶尖的科技,比如美国的光源,德国的镜头,法国机械臂,英国的电动马达,都是要求非常精密的,难度很大,所以我国还没研制出来

2、极紫外光刻机技术

晶圆领域适者生存,中国市场成必成之地

不可以

DUV光刻机是深紫外光刻机,其可以用于生产制造7nm以上制程的芯片,而EUV光刻机是极紫外光刻机,用于生产制造7nm以下制程的芯片。目前中国最先进的上海微电子只能做到28纳米芯片光刻机,所以不能生产深紫外线光刻机。

3、极紫外光刻机参数

EUV极紫外光刻(Extreme Ultra-Violet)是一种使用极紫外(EUV)波长的新一代光刻技术,其波长为13.5纳米。由于光刻精度是几纳米,EUV对光的集中度要求极高,相当于拿个手电照到月球光斑不超过一枚硬币。反射的镜子要求长30cm起伏不到0.3nm,相当于北京到上海的铁轨起伏不超过1毫米。一台EUV光刻机重达180吨,超过10万个零件,需要40个集装箱运输,安装调试要超过一年时间。

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标签: 光刻   纳米   都是